STW30N80K5

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望找到一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？答案或许就藏在STW30N80K5之中。这颗来自ST意法半导体MDmesh K5系列的高性能N沟道MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、缩小产品体积、增强市场竞争力的关键引擎。它凭借800V的卓越耐压能力和24A的连续电流承载实力，为苛刻的工业与能源应用场景提供了坚实的硬件基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩的核心功率转换模块中，能量转换的每一瞬间都至关重要。STW30N80K5正是为此而生。其革命性的MDmesh K5技术，将超低的180毫欧导通电阻与优化的栅极电荷完美结合，这意味着在开关过程中，导通损耗和开关损耗被双双大幅削减。您的系统将运行得更“冷静”，更高效，直接转化为更长的设备寿命和更低的运营成本。无论是应对频繁启停的电机控制，还是处理高功率密度的开关电源，它都能游刃有余，确保能量流畅、精准地传递。

选择STW30N80K5，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺与性能保障。TO-247-3的经典封装提供了出色的散热能力和机械强度，而-55°C至150°C的宽广工作结温范围，则让它无惧严寒酷暑，在各种恶劣环境下稳定运行。这颗芯片的价值不仅在于其参数表上的亮眼数字，更在于它能为您的终端产品带来的整体性能飞跃和可靠性提升。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，我们的ST一级代理身份确保您能获得原厂正品与全方位的服务，让您的创新之路毫无后顾之忧。立即将STW30N80K5纳入您的设计，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STW30N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1530 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。