STW30NF20

在追求极致能效的电力电子世界，您是否正在寻找一款能够在高压高流环境中稳定发挥，同时兼顾出色热性能的功率开关解决方案？今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的经典之作STW30NF20。这款N沟道功率MOSFET，以其200V的耐压能力和高达30A的连续漏极电流，为您的设计注入强劲而可靠的核心动力。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体效率、降低能耗的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明驱动等严苛的应用场景中，每一次开关动作都伴随着能量的转换与损耗。STW30NF20凭借其先进的STripFET技术，将导通电阻（RdsOn）在15A、10V条件下控制在仅75毫欧的优异水平。这意味着更低的导通损耗，更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。其高达125W的功率耗散能力，配合TO-247-3封装出色的散热特性，让它在高功率密度设计中也能游刃有余，稳定运行于-55°C至150°C的宽广结温范围。

选择STW30NF20，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能的完美平衡。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其依然是许多经典设计升级或特定项目备货的优选。其38nC的较低栅极电荷，有助于简化驱动电路设计，实现更快的开关速度，进一步提升系统动态响应。当您需要为关键项目寻找稳定可靠的功率核心时，这款芯片的价值不言而喻。如需获取库存或了解更多替代方案，建议咨询专业的ST代理商，他们能为您提供精准的供应链支持与技术建议。

• 型号:STW30NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30NF20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。