STW30NM60ND

当您的电源设计需要在高压环境下保持高效稳定时，您是否曾为功率器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个能够轻松应对600V高压、承载25A电流的解决方案，同时还能将导通损耗降至极低，这将是怎样的设计飞跃？现在，答案就在STW30NM60ND之中。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为突破效率极限而生，其卓越的电气特性将直接转化为您产品的市场竞争力和终端用户的卓越体验。

无论是工业电机驱动、不断电电源系统，还是高功率开关电源和太阳能逆变器，STW30NM60ND都能成为系统可靠运行的坚实心脏。它采用先进的FDmesh II技术，在关键的导通电阻（Rds(on)）上表现出色，仅为130毫欧，这意味着在相同的电流下，它能显著减少热量产生，提升整体能效。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用，让您的设备不仅力量充沛，而且反应敏捷。

选择STW30NM60ND，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其坚固的TO-247封装能够有效散热，确保芯片在高达150°C的结温下稳定工作，功率耗散能力高达190W，为您的设计提供了充裕的余量和长久的使用寿命。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场验证，使其依然是许多经典设计和备件替换的优选。如需获取库存或寻找替代方案，专业的ST中国代理将为您提供全面的技术支持与供应链服务，确保您的项目顺利推进。让这颗凝聚尖端技术的功率芯片，为您的下一个创新注入强劲而高效的动力。

• 型号:STW30NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。