STW33N60M2

当您的电源设计面临效率瓶颈，或在追求更高功率密度时感到束手束脚，您是否渴望一颗能在高压、大电流场景下稳定输出，同时将损耗降至最低的“心脏”级功率器件？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh II Plus系列中的明星产品STW33N60M2，这颗N沟道功率MOSFET正是为突破极限、重塑效能而生的卓越解决方案。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源电动汽车的充电模块中，系统需要持续、可靠地处理高达600V的电压和26A的连续电流。这正是STW33N60M2大显身手的舞台。它凭借先进的MDmesh II Plus技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），在13A、10V条件下最大值仅为125毫欧。这意味着在能量转换的核心通路上，由导通产生的热损耗被大幅削减，更多的电能被高效地输送到负载端，而不是白白浪费为热量。这不仅直接提升了整机效率，更让您的散热设计变得更为轻松，系统可靠性迈上新的台阶。

选择STW33N60M2，就是选择了一份从容与自信。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，这对于高频开关电源提升频率、缩小磁性元件体积至关重要，助您轻松实现产品的小型化与轻量化。高达190W的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的坚固性与环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定运行。经典的TO-247封装提供了出色的散热性能和机械强度，便于安装与生产。当您寻求顶级的性能与可靠的供应，通过值得信赖的ST中国代理引入STW33N60M2，无疑是驱动您下一代高性能电源与电机控制项目迈向成功的智慧之选。

• 型号:STW33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 26A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1781 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW33N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。