STW34NB20

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一个能同时兼顾高功率密度与出色热性能的解决方案，将如何彻底改变您的电源转换器或电机驱动设计。今天，我们向您介绍的正是这样一款性能卓越的功率器件STW34NB20，它来自全球半导体领导者意法半导体，专为要求严苛的高压、大电流应用而生。

这款N沟道功率MOSFET拥有200V的漏源电压和高达34A的连续漏极电流，这意味着它能够轻松驾驭从工业电源、不间断电源（UPS）到高性能音频放大器等一系列关键应用。其核心采用了ST先进的PowerMESH技术，这项技术通过优化单元结构，在相同的芯片面积内实现了更低的导通电阻。具体来说，在10V驱动电压、17A电流条件下，其导通电阻最大值仅为75毫欧。更低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高，从而显著延长设备寿命并降低运营成本。

无论是面对服务器电源中需要快速切换的PFC电路，还是电动工具中要求瞬时爆发力的电机驱动，STW34NB20都能提供稳定可靠的支持。其优化的栅极电荷（Qg最大值80nC @ 10V）与输入电容特性，确保了快速且干净的开关行为，有效减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的设计更容易通过合规认证。高达180W的功率耗散能力和150°C的结温，配合经典的TO-247-3封装，为散热设计提供了充足的余量和便利。当您需要为项目寻找可靠的功率核心时，选择STW34NB20，就是选择了一份由顶尖工艺和严格测试背书的性能保障。我们作为资深的ST芯片代理，不仅提供这颗优质芯片，更能为您带来全面的技术支持和供应链服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:STW34NB20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW34NB20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。