STW35N60DM2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？让我们为您介绍一个颠覆性的答案STW35N60DM2。这款来自意法半导体MDmesh DM2家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的卓越耐压和28A的强大电流承载能力，为您打开了高效能、高可靠性电源设计的新大门。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的核心引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明和电焊机等严苛的应用场景中，STW35N60DM2都能游刃有余。其110毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下能量损耗被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。搭配仅为54nC的低栅极电荷，它能够实现极快的开关速度，让您的系统响应更迅捷，同时驱动电路的设计也更为简化。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种极端环境下依然稳定可靠，是应对挑战性工业环境的信心之选。

选择STW35N60DM2，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与长期可靠性。TO-247的经典封装提供了出色的散热能力和机械强度，让功率输出更加持久稳定。无论是升级现有产品还是开发全新平台，它都能帮助您轻松实现更高的功率密度和能源之星标准。如果您正在寻找值得信赖的供货渠道，专业的ST芯片代理将是您获取正品保障与技术支持的有力后盾。立即采用STW35N60DM2，让它成为您下一个成功产品的强大心脏，共同迈向绿色、高效的能源未来。

• 型号:STW35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW35N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。