STW36N60M6

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾期待一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？答案就在STW36N60M6。这款来自意法半导体MDmesh M6家族的600V功率MOSFET，以其卓越的30A连续电流能力和低至99毫欧的导通电阻，为您重新定义了高性能开关的标杆。它不仅是一个元件，更是您系统实现更高能效、更紧凑设计和更长使用寿命的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或不断电系统(UPS)的核心电路中，STW36N60M6正以其600V的高压耐受力和优化的动态特性稳定工作。它能够轻松应对严苛的开关环境，显著降低导通和开关损耗，这意味着您的终端产品不仅能运行得更“冷静”，更能直接转化为可观的能源节约和系统可靠性提升。无论是追求极致功率密度的新一代充电桩，还是要求7x24小时稳定运行的通讯电源，这颗芯片都能提供坚实的性能基石。

选择STW36N60M6，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其采用的先进MDmesh M6技术，在导通电阻与栅极电荷之间取得了精妙平衡，确保开关既快速又高效。TO-247封装提供了出色的散热能力，结合高达208W的功率耗散，让您的散热设计游刃有余。从原型设计到量产，您可以信赖其一致的性能和广泛的供应稳定性。如需获取样品或技术支持，专业的ST代理商将是您可靠的合作伙伴，助您将这颗高性能芯片的优势快速转化为产品的市场竞争力。

• 型号:STW36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW36N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。