STW38N65M5

当您的电源设计需要在高压环境下保持高效稳定时，是否曾为功率器件的损耗和温升问题而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出STW38N65M5，这颗来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它拥有650V的卓越耐压能力和高达30A的连续漏极电流，意味着在严苛的工业电源、服务器电源或新能源转换系统中，它能轻松应对高功率密度挑战，将能量损耗降至新低，让您的系统运行得更冷静、更持久。

想象一下，在电动汽车充电桩的核心模块里，或者在太阳能逆变器的关键功率级中，高效的能量转换直接决定了整机性能和用户体验。STW38N65M5凭借其仅为95毫欧的超低导通电阻（在15A, 10V条件下），能显著减少导通损耗，将更多电能高效传递给负载。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，这不仅提升了开关频率的潜力，更能有效降低电磁干扰，让您的产品在效率和电磁兼容性上双双赢得优势。无论是面对工业电机驱动的频繁启停，还是不间断电源（UPS）的持续高负荷运行，它都能提供坚实可靠的性能基石。

选择STW38N65M5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其TO-247封装提供了出色的散热路径，结合高达190W的功率耗散能力，确保芯片在高达150°C的结温下依然稳定工作，极大地增强了系统的鲁棒性和寿命。这意味着您的设计将拥有更宽的安全裕量，能够适应更复杂多变的工作环境。更重要的是，通过我们专业的ST授权代理渠道，您不仅能获得100%原装正品保障，还能得到从选型支持到技术方案的全方位服务，让您的产品从研发到量产一路畅通。立即采用STW38N65M5，让它成为您下一代高性能电源和能源转换设计中，那颗驱动效率飞跃、赢得市场先机的核心动力！

• 型号:STW38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW38N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。