STW3N150

在追求更高能效和可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要承受1500V的严苛电压环境时，选择一款兼具高耐压与出色动态性能的MOSFET至关重要。现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STW3N150。这款来自ST意法半导体PowerMESH家族的N沟道MOSFET，正是为应对高压挑战而生，它能将系统的稳定性和效率提升到一个全新的高度。

想象一下，在太阳能逆变器的核心电路中，直流母线电压高达1000V以上，开关器件必须承受极高的电压应力。STW3N150凭借其1500V的漏源击穿电压，为系统提供了充裕的安全裕量，让您在恶劣的电网波动或雷击浪涌下依然高枕无忧。不仅如此，其仅9欧姆的导通电阻（在1.3A，10V条件下）意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的整机效率。无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是电动汽车充电桩的PFC电路，这颗芯片都能成为您功率级设计的坚实基石，确保能量高效、平稳地流动。

为什么越来越多的工程师在高压项目中转向选择STW3N150？答案在于它出色的综合性能与可靠性。其优化的栅极电荷（Qg最大值仅29.3nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，让高频开关应用成为可能，同时简化了驱动电路的设计。TO-247-3的经典封装提供了卓越的散热能力，支持高达140W的功率耗散，结合150°C的最高结温，确保了器件在长期满载运行下的耐久性。当您需要获得原厂技术支持与可靠的供货保障时，请务必通过官方ST授权代理进行采购，这是确保产品正宗与项目顺利推进的关键一步。选择STW3N150，不仅仅是选择了一颗元器件，更是为您的产品选择了经久耐用的卓越性能和令人放心的品质承诺。

• 型号:STW3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW3N150的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。