STW3N170

想象一下，当您的工业电源或新能源系统需要在1700V的高压下稳定运行，同时还要兼顾效率与可靠性时，您会选择什么样的核心开关器件？答案或许就藏在STW3N170这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建坚固、高效功率转换系统的信心基石。源自ST意法半导体备受赞誉的PowerMESH技术平台，它天生就是为了应对严苛的高压环境而生，将超低的导通损耗、卓越的开关性能与无与伦比的坚固性融为一体，让您的设计在性能与成本之间找到完美的平衡点。

这颗芯片的身影，活跃在众多要求苛刻的应用前线。无论是工业电机驱动中需要承受高电压应力的逆变桥臂，还是太阳能光伏逆变器里负责将直流高效转换为交流的关键开关位置，甚至是不断电系统(UPS)和高压开关电源中，STW3N170都能凭借其1700V的惊人耐压能力和2.6A的连续电流处理能力，确保系统在极端条件下依然稳定如山。其高达150°C的结温工作范围，意味着它能在高温环境中持续作战，大大提升了整个系统的环境适应性和长期可靠性。当您需要一款能扛住高压冲击、同时保持冷静高效的开关解决方案时，它无疑是您最值得信赖的伙伴。

那么，在众多高压MOSFET中，为何STW3N170能脱颖而出？其核心魅力在于PowerMESH架构带来的颠覆性优势。它实现了极低的单位面积导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下，仅需13欧姆的导通电阻，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的系统效率更高，散热设计更简单。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，这不仅减少了开关损耗，也简化了驱动电路的设计难度。选择它，就是选择了一种经过市场验证的可靠技术路径。如果您正在寻找稳定可靠的供货和技术支持，专业的ST代理商将是您获取这颗强大芯片并实现成功设计的有力后盾。让STW3N170成为您下一个高压功率项目的强大心脏，开启高效可靠的新篇章。

• 型号:STW3N170
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW3N170的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。