STW40N65M2

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在提升功率密度的同时，确保系统在严苛环境下依然稳定运行？答案或许就藏在功率器件的核心选择上。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh M2系列中的明星产品STW40N65M2。这颗650V、32A的N沟道MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是为您的下一代高效电源、电机驱动和工业应用注入强劲动力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源或通信电源的PFC（功率因数校正）电路中，STW40N65M2凭借其出色的MDmesh M2超结技术，能够显著降低导通损耗和开关损耗。这意味着您的系统可以在更高的频率下工作，从而允许使用更小、更轻的磁性元件，直接助力产品实现小型化和轻量化。而在太阳能逆变器或UPS不间断电源中，其高达650V的漏源电压和150°C的结温，提供了充裕的电压裕量和可靠的热性能，让您的设计从容应对电网波动和高温环境，大幅延长设备的使用寿命。

选择STW40N65M2，就是选择了一份卓越的性能承诺。其低至99毫欧的导通电阻（Rds(on)），直接转化为更低的通态损耗，提升整机效率。优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）组合，使得驱动更轻松，开关速度更快，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。TO-247封装确保了出色的散热能力，结合250W的功率耗散，让功率输出更加游刃有余。无论是升级现有方案还是开发全新平台，它都能让您的产品在能效、功率密度和可靠性三个维度上脱颖而出，赢得市场先机。如需获取样品或技术支持，请联系您身边的ST代理商，开启您的高效设计之旅。

• 型号:STW40N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2355 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW40N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。