STW42N60M2-EP

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗功率器件，不仅拥有600V的坚固耐压，更能将导通电阻降至极低水平，让系统效率轻松突破瓶颈。这正是STW42N60M2-EP为您带来的核心价值。作为意法半导体MDmesh M2-EP家族的明星成员，它专为应对苛刻的高压、高频应用而设计，其卓越的性能参数不仅仅是纸面数字，更是您产品在市场上脱颖而出的可靠基石。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STW42N60M2-EP都能游刃有余。它高达34A的连续漏极电流和仅为87毫欧的超低导通电阻，意味着在相同输出功率下，产生的热量更少，系统运行更凉爽、更稳定。这直接转化为更小的散热器尺寸、更低的系统复杂度和更长的产品寿命。在150°C的高结温下依然能可靠工作，赋予了您的设计前所未有的温度裕量和可靠性保障，让您的产品无惧严酷的工业环境挑战。

选择STW42N60M2-EP，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其采用的先进MDmesh M2-EP技术，在开关速度和导通损耗之间取得了完美平衡，55nC的低栅极电荷确保了快速开关和低驱动损耗，让高频开关电源的设计变得前所未有的高效。TO-247的经典封装提供了优异的功率耗散能力（高达250W），同时兼顾了安装的便利性与可靠性。当您需要稳定、高性能的供货与技术支援时，信赖专业的ST代理商将是您项目成功的有力后盾。这颗芯片不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得客户信赖的关键一步。立即采用STW42N60M2-EP，为您的下一个电源设计注入高效与可靠的核心动力！

• 型号:STW42N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW42N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。