STW43NM60N

在追求极致能效的今天，您的电源或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够将600V高压与35A大电流流畅驾驭，同时将导通电阻压至毫欧级别的功率开关，能为您的系统带来怎样的性能飞跃与可靠性提升？这正是STW43NM60N为您呈现的答案。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术的杰出代表，旨在彻底革新您对高压开关器件的认知。

当我们将目光投向工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效开关电源(SMPS)这些严苛的应用场景时，稳定与高效是永恒的主题。STW43NM60N凭借其600V的漏源电压和高达35A的连续电流能力，如同一位强大的动力指挥官，轻松应对频繁的启停和负载变化。其核心的MDmesh II技术，通过优化单元结构，显著降低了导通电阻（Rds(on)），这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。在系统持续运行时，更低的温升直接转化为更长的寿命和更高的可靠性，让您的产品在激烈的市场竞争中稳如磐石。

选择STW43NM60N，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。其高达255W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它出色的过载和高温工作潜力，为您的设计留出了充裕的安全裕度。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性有助于简化驱动电路设计，提升开关速度，从而进一步降低开关损耗，实现系统整体效率的跃升。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其成为特定高可靠性升级或备货项目的经典之选。如需获取此经典器件或探讨替代方案，您可以咨询专业的ST代理商，他们能为您提供全面的产品生命周期支持与技术建议。让STW43NM60N的强悍性能，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠功率系统的坚实基石。

• 型号:STW43NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW43NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。