STW45N65M5

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗与散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STW45N65M5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的耐压和35A的连续电流能力，为您打开了高效功率转换的新大门。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh V系列技术的结晶，旨在将卓越的性能直接转化为您产品的市场竞争力和终端用户的卓越体验。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩的核心电路中，STW45N65M5正稳定高效地工作着。它超低的导通电阻（仅78毫欧）意味着更少的导通损耗，电能得以更纯粹地传递；而优化的栅极电荷（91nC）则显著降低了开关损耗，让系统即使在高速切换下也能保持冷静。这直接转化为更小的散热器需求、更高的功率密度，以及整体系统效率的显著提升。无论是面对严苛的工业环境还是要求7x24小时不间断运行的通信基础设施，它都能凭借其高达210W的功率处理能力和150°C的结温，提供坚如磐石的可靠性。

选择STW45N65M5，就是选择为您的设计注入一颗强劲而高效的心脏。它让您轻松驾驭650V的高压平台，同时通过TO-247经典封装提供卓越的散热性能和便捷的安装方式。其背后是ST意法半导体强大的技术支持和质量保证，确保每一颗芯片都具备一致的卓越性能。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，我们的ST一级代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全程服务。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次提升产品价值、赢得市场先机的战略投资。立即采用STW45N65M5，让您的下一个电源或驱动项目，从一开始就站在性能与可靠性的制高点上。

• 型号:STW45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3375 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW45N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。