STW45NM50

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题所困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STW45NM50。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其500V的耐压和45A的连续电流能力，正重新定义着高效功率开关的标准。它不仅仅是参数的堆砌，更是将先进的MDmesh技术与稳健的TO-247封装完美结合，旨在为您的系统注入澎湃且可控的动力源泉，让能量转换过程前所未有的流畅与宁静。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器的核心功率级，STW45NM50正发挥着关键作用。它能够轻松应对严苛的开关环境，将开关损耗降至极低，从而显著提升整机效率。这意味着您的设备不仅能以更低的温升稳定运行，延长使用寿命，更能为用户节省可观的电费支出。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要持续高功率输出的能源转换场景，它都能提供坚实可靠的性能保障，让您的产品在市场竞争中脱颖而出。

选择STW45NM50，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。其低至100毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的导通损耗，直接转化为更高的效率和更少的热量产生。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关行为，简化了驱动电路设计，让系统响应更加敏捷。高达417W的功率耗散能力，配合宽达-65°C至150°C的工作结温范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性和环境适应性。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是一个顶级元器件，更是从技术选型到供应链支持的全方位价值体验，为您的创新项目保驾护航。

• 型号:STW45NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW45NM50的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。