STW48N60M2

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而困扰？现在，一个划时代的解决方案已经到来STW48N60M2，这颗源自ST意法半导体MDmesh M2家族的N沟道功率MOSFET，正以其600V的耐压和42A的强大电流处理能力，重新定义高性能功率开关的标准。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现绿色能源愿景的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或太阳能逆变器中，STW48N60M2正稳定高效地工作着。它卓越的70毫欧超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接将更多的电能转化为有效输出，而非无谓的热量。这不仅显著提升了系统整体效率，更能让您的散热设计变得更加从容，系统运行更凉爽、更安静。无论是面对严苛的工业环境，还是要求7x24小时不间断运行的通信基础设施，它都能凭借其坚固的TO-247封装和高达300W的功率耗散能力，提供令人放心的可靠性。

选择STW48N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与长期稳定供货的保障。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，有效降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的电源设计更容易满足日益严格的能效与环保法规。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的合作伙伴ST一级代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。让这颗凝聚尖端MDmesh M2技术的芯片，成为您下一代高效、紧凑、可靠功率系统的核心动力，助您轻松驾驭600V功率应用，赢得市场先机。

• 型号:STW48N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW48N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。