STW48NM60N

当您设计的电源系统需要同时兼顾高功率密度与卓越的可靠性时，是否常常感到选择困难？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您介绍意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STW48NM60N。这款600V、44A的N沟道功率MOSFET，正是为应对严苛应用挑战而生的高效解决方案。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体能效、缩小体积并增强耐用性的关键所在。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STW48NM60N正以其出色的性能默默工作。得益于其仅为70毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），它能显著降低导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而不是浪费在发热上。这意味着您的设备运行更凉爽，效率更高，长期稳定性也得到根本保障。其高达330W的功率耗散能力，配合TO-247的坚固封装，确保了即使在恶劣环境下也能持续稳定输出，让您的产品设计无惧高温挑战。

为何众多工程师在众多选择中独钟情于它？核心在于其背后强大的MDmesh II技术。这项技术优化了单元结构，在保持高击穿电压的同时，实现了更优的开关性能与更低的栅极电荷（Qg仅为124nC）。这不仅简化了驱动电路的设计，降低了开关损耗，更能让您的系统以更高的频率运行，从而允许使用更小、更轻的磁性元件，最终实现电源系统的小型化与轻量化。选择STW48NM60N，就是选择了一种经过市场验证的可靠架构，它能帮助您缩短开发周期，加速产品上市。

在追求极致性能的道路上，拥有一个可靠的合作伙伴至关重要。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅能为您提供原装正品的STW48NM60N，更能提供专业的技术支持与供应链保障。无论是应对突发的需求波动，还是解决复杂的设计难题，我们都能与您并肩作战。让这颗凝聚了尖端技术的芯片，成为您下一代高性能产品中最坚实、最高效的动力核心，共同开启能效新纪元。

• 型号:STW48NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 44A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:124 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4285 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW48NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。