STW50N65DM2AG

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈与散热难题而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STW50N65DM2AG。这款来自意法半导体MDmesh DM2家族的N沟道功率MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和高达28A的连续漏极电流，正重新定义着高功率密度设计的可能性。它不仅仅是一个开关器件，更是您释放系统潜能、打造下一代高效、可靠产品的关键钥匙。

想象一下，在电动汽车的车载充电器（OBC）中，或者在工业伺服驱动和不断电系统（UPS）的核心功率模块里，每一次开关动作都关乎着整体能效与稳定性。STW50N65DM2AG凭借其先进的超结技术，将导通电阻（RDS(on)）在10V驱动电压下显著降低，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。当电流流过，更多的能量被有效传递，而非浪费在发热上，直接转化为更长的运行时间、更小的散热器需求以及更安静的系统运行环境。其符合AEC-Q101车规标准的身份，更是为严苛的汽车应用环境提供了坚实的品质背书，让您的设计从容应对振动、高温与可靠性挑战。

选择STW50N65DM2AG，就是选择了一份面向未来的投资。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为轻松，有效降低了开关损耗，提升了系统在高频工作下的效率。TO-247的经典封装确保了出色的功率耗散能力（高达300W），同时兼顾了安装的便利性与工艺的成熟度。无论是升级现有产品线，还是开发全新的高效能平台，这颗芯片都能帮助您大幅提升性能边际。我们推荐您通过官方授权的ST代理渠道进行采购，以确保获得原厂正品、完整的技术支持以及稳定的供货保障，让您的创新之旅全程无忧，全力聚焦于创造更大价值。

• 型号:STW50N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW50N65DM2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。