STW50N65DM6

在追求极致能效的电力转换世界，您是否还在为开关损耗与系统可靠性之间的平衡而困扰？现在，答案已经揭晓。意法半导体MDmesh DM6系列的最新力作STW50N65DM6，正以其革命性的超结技术，重新定义650V功率MOSFET的性能标杆。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，系统需要承受严苛的电压应力，同时又要保证高效、低温、安静地运行。STW50N65DM6正是为此而生。其高达650V的漏源击穿电压和33A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了充裕的安全裕量，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。更关键的是，其标志性的低导通电阻（RDS(on)）与极低的栅极电荷（Qg）实现了完美结合，这意味着在相同的开关频率下，导通损耗和开关损耗被双双大幅削减，系统整体效率得以显著跃升，让您的设备在满载运行时依然保持“冷静”。

选择STW50N65DM6，就是选择了一份经得起未来考验的保障。它基于意法半导体成熟的MDmesh DM6平台，该平台已在全球数以亿计的应用中证明了其卓越的稳健性和长期可靠性。TO-247-3的标准封装，既保证了出色的散热性能，又兼容广泛的生产与安装流程，极大简化了您的供应链管理。无论您是设计新一代的太阳能逆变器、UPS不同断电源，还是升级现有的焊接设备，这颗芯片都能让您的设计脱颖而出，在能效、功率密度和成本之间找到最佳平衡点。我们信赖的ST代理商网络将为您提供从样品到量产的全方位支持，确保您的创新想法快速落地成真。

• 型号:STW50N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:91 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:52500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW50N65DM6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。