STW54NM65ND

在追求极致能效的电力电子世界，您是否正在寻找一款既能承受高压冲击，又能保持低温高效运行的功率开关解决方案？今天，我们为您带来意法半导体FDmesh II系列中的明星产品STW54NM65ND。这颗650V耐压、49A电流能力的N沟道MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，它代表着更低的导通损耗、更快的开关速度和更可靠的热管理，是您提升系统整体效率、缩小产品体积并增强市场竞争力的秘密武器。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩这些对效率和可靠性要求严苛的场景中，每一次开关都伴随着能量的损耗与热量的积聚。STW54NM65ND凭借其先进的FDmesh II技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下控制在极低的65毫欧，这意味着在相同电流下，它的导通损耗显著降低，更多的电能被有效转换而非浪费为热量。其高达350W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了即使在恶劣环境下也能稳定工作，让您的设备运行更冷静、寿命更长久。

选择STW54NM65ND，就是选择了一份安心与超越。它不仅拥有优异的静态参数，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）的优化平衡，使得开关过程更加迅速平滑，有助于降低开关损耗和电磁干扰（EMI），简化您的驱动电路设计。TO-247-3的经典封装提供了卓越的散热路径，便于您实施高效的 thermal management。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理网络，将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STW54NM65ND成为您下一代高性能电源与驱动设计的核心，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STW54NM65ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:188 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW54NM65ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。