STW55NM60N

当您的工业电源或电机驱动系统需要面对600V高压和数十安培电流的严苛考验时，您是否在寻找一颗既能扛住压力、又能保持高效冷静的“心脏”？答案或许就藏在STW55NM60N这颗强大的功率开关之中。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升系统可靠性、延长产品寿命、并最终赢得市场竞争力的关键伙伴。来自ST意法半导体的这款N沟道MOSFET，以其卓越的MDmesh II技术，为您带来了前所未有的性能平衡。

想象一下，在伺服驱动器、工业变频器、不间断电源（UPS）乃至电焊机这些高强度的应用场景中，每一次开关动作都伴随着能量的剧烈转换。STW55NM60N正是为此而生，其600V的漏源电压和高达51A的连续漏极电流，为系统构筑了坚固的电压与电流防线。更令人印象深刻的是，它在10V驱动下仅60毫欧的超低导通电阻，这意味着在电流通过时产生的热量损耗被大幅降低，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。当您的设备在满负荷运行时，这颗芯片能让能量更顺畅地流动，而不是白白浪费在发热上，从而让整机运行更稳定、更持久。

选择STW55NM60N，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。其TO-247-3的经典封装，提供了出色的散热能力和机械强度，非常适合功率密集型设计。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为许多经典方案升级或维护的优选。对于仍在相关项目中使用的工程师而言，通过可靠的ST中国代理渠道，依然可以获取高质量的库存或替代建议，确保您的生产与研发计划不受影响。这颗芯片所代表的，不仅是ST在功率半导体领域深厚的技术积淀，更是一种让复杂挑战变得简单可控的设计哲学。它将强悍的功率处理能力、出色的开关特性与稳健的 thermal 性能融为一体，让您能够更专注于系统级的创新，而无须在基础功率环节上担忧妥协。

• 型号:STW55NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 25.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW55NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。