STW56N60DM2

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时感到束手束脚，您是否渴望一款能够同时驾驭高电压与大电流，还能将损耗降至最低的功率开关解决方案？今天，我们带来的STW56N60DM2，正是为破解这些核心挑战而生。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh DM2系列技术的集大成者，旨在为您的下一代高效能产品注入强劲而可靠的心脏。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器乃至电动汽车充电桩这些要求严苛的应用场景中，稳定与高效是生存的法则。STW56N60DM2凭借其600V的坚固耐压和高达50A的连续电流处理能力，如同一位经验丰富的舵手，能在高压大电流的惊涛骇浪中稳健航行。其核心秘密在于极低的导通电阻仅60毫欧，这意味着在相同的负载下，它能将更多的电能转化为有用功，而非令人头疼的热损耗，直接助力您的系统实现能效等级的飞跃，同时降低散热设计的复杂性与成本。

选择STW56N60DM2，就是选择了一份面向未来的投资。它优异的开关特性与栅极电荷管理，确保了快速、干净的开关动作，这对于提升开关频率、缩小磁性元件体积、最终实现产品小型化至关重要。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和TO-247封装带来的强大散热能力，赋予了产品无与伦比的环境适应性与长期可靠性。当您与值得信赖的ST芯片代理合作时，您获得的不仅是一颗顶级芯片，更是从技术选型到供应链支持的全方位保障。让STW56N60DM2成为您功率转换设计的基石，它将用卓越的性能与稳定性，为您赢得市场的每一次掌声。

• 型号:STW56N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 50A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW56N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。