STW56N60M2-4

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？答案或许就藏在STW56N60M2-4之中。这颗来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，以其600V的耐压能力和高达52A的连续漏极电流，为您打开了通往更高效、更紧凑电源解决方案的大门。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统能效、降低热管理复杂性的关键伙伴，让能量转换过程变得前所未有的流畅与宁静。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些要求严苛的应用场景中，每一次开关都伴随着能量损耗和热量产生。STW56N60M2-4凭借其先进的MDmesh M2技术，将导通电阻（Rds(on)）在26A、10V条件下控制在极低的55毫欧，这意味着更少的导通损耗和更高的整体效率。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关损耗，让您的系统即使在高速开关频率下也能保持冷静运行，轻松应对150°C的高结温工作环境，确保长期稳定性和耐久性。

选择STW56N60M2-4，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。TO-247-4L封装不仅提供了卓越的散热性能和更高的功率密度，其四引脚设计还有助于优化开关性能，减少寄生电感的影响。这颗芯片能帮助您缩短设计周期，快速实现产品性能的飞跃。如果您正在寻找可靠的原厂正品供应与技术支持，我们的ST芯片代理服务将为您提供从选型到量产的一站式支持，确保这颗强大的“能量引擎”能顺利集成到您的创新设计中，助您打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:STW56N60M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW56N60M2-4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。