STW56N65M2

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否渴望找到一颗既能承载高功率，又能保持冷静运行的“心脏”？今天，我们为您带来的STW56N65M2，正是意法半导体MDmesh M2系列中一颗闪耀的明星，它将以650V的耐压和49A的连续电流能力，重新定义您对功率MOSFET的期待。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩的核心电路中，能量转换的每一个瞬间都至关重要。STW56N65M2凭借其仅为62毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，将更多电能高效地输送给负载，而不是转化为令人头疼的热量。其高达358W的功率耗散能力，配合TO-247封装带来的优异散热特性，确保即使在严苛的150°C结温下也能稳定工作，让您的设备在持续高负荷运行中依然从容不迫。

选择STW56N65M2，不仅是选择了一个高性能的电子元件，更是选择了一份可靠性与效率的保障。它优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为轻松，有助于提升整体系统的开关频率和响应速度。无论您是致力于打造更节能的UPS系统，还是开发功率密度更高的太阳能逆变器，这颗芯片都能成为您提升产品竞争力的秘密武器。如需获取官方正品与技术支援，我们的合作伙伴ST代理将为您提供全程服务。让STW56N65M2的强大性能，为您的下一个创新项目注入澎湃而稳定的动力！

• 型号:STW56N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 24.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:358W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW56N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。