STW5NK100Z

当您的下一个电源设计项目面临高压、高效率与高可靠性的严苛挑战时，您是否在寻找一颗能够从容应对，甚至超越预期的“心脏”级功率器件？答案或许就藏在STW5NK100Z之中。这颗来自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，不仅仅是一个参数表上的组件，它是您提升系统性能、简化设计并赢得市场竞争力的关键赋能者。其高达1000V的漏源电压和优化的动态特性，意味着在开关电源、电机驱动等高压前沿应用中，它能提供前所未有的稳定屏障和能效表现，让您的产品从诞生之初就站在了可靠性的高地。

想象一下，在工业变频器、UPS不同断电源、太阳能逆变器乃至高性能充电桩的核心功率转换电路中，STW5NK100Z正发挥着核心作用。它卓越的1000V耐压能力，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，为系统安全保驾护航。同时，其3.7欧姆的低导通电阻（在特定条件下）与优化的栅极电荷特性，共同致力于降低每一次开关过程中的导通损耗和开关损耗。这意味着更低的温升、更高的整体系统效率，以及更小的散热设计压力，直接转化为您的产品在能效标签上的竞争优势和更长的使用寿命。

选择STW5NK100Z，就是选择了一份来自全球半导体领袖的技术保障与长期价值。ST意法半导体的SuperMESH3技术已历经市场严苛验证，确保了器件在高压、高频工作下的坚固性与一致性。TO-247-3的经典封装形式，不仅提供了出色的功率耗散能力（高达125W），也兼容广泛的生产与散热工艺，极大简化了您的供应链与生产流程。当您决定将这份卓越性能集成到您的蓝图中时，可以通过专业的ST中国代理获取完整的技术支持、样品供应与可靠的供货保障，确保您的创新之旅从设计到量产都畅通无阻。这不仅仅是一次元器件选型，更是为您的产品注入持久动力与市场信心的战略决策。

• 型号:STW5NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW5NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。