STW65N60DM6

在追求极致能效与可靠性的功率转换领域，您是否仍在为平衡性能与成本而苦恼？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍STW65N60DM6，这颗来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，它不仅仅是又一个组件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。它基于业界领先的MDmesh DM6技术平台打造，专为应对严苛的高压、大电流应用挑战而生，旨在将系统效率推向新的高度，同时显著降低整体运营成本。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或不断电供应系统（UPS）中，能量转换的每一个环节都至关重要。STW65N60DM6凭借其600V的额定电压和高达38A的连续漏极电流能力，为这些核心应用提供了坚实的基石。它卓越的开关性能和超低的导通电阻，意味着更少的热量产生和更高的功率密度，让您的设备在满负荷运行时依然保持冷静与稳定，有效延长系统寿命并减少散热设计的复杂度。无论是面对数据中心对能耗的严苛要求，还是工厂自动化设备对可靠性的不懈追求，它都能游刃有余，成为您值得信赖的功率开关解决方案。

选择STW65N60DM6，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与持续创新的价值。ST意法半导体的MDmesh DM6技术代表了其在功率器件领域的深厚积淀，这颗芯片正是这一技术的杰出体现。它不仅提供了优异的电气参数，其经典的TO-247封装也确保了出色的机械强度和散热能力，简化了您的PCB布局与生产流程。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系官方授权的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位专业服务。拥抱STW65N60DM6，不仅仅是选择了一颗芯片，更是为您下一代的绿色、高效、可靠的电力电子系统，注入了强大的核心动力。

• 型号:STW65N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW65N60DM6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。