STW65N65DM2AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能够同时驾驭高功率与严苛环境的“心脏”？STW65N65DM2AG正是为此而生。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh DM2技术家族中的明星成员，专为应对汽车级应用挑战而设计。想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或新能源车载充电器中，一颗芯片能够以高达650V的耐压和60A的连续电流从容应对，将系统效率推向新的高度，同时将发热和损耗降至最低，这带来的不仅是性能的提升，更是整体方案竞争力的飞跃。

无论是穿梭于城市街道的电动汽车，还是7x24小时不间断运行的数据中心，对功率器件的稳定性和效率都有着近乎苛刻的要求。STW65N65DM2AG凭借其卓越的50毫欧超低导通电阻（Rds(on)），在30A电流、10V驱动电压下，能显著降低导通损耗，这意味着更少的能量以热能形式浪费，系统运行更“冷静”，寿命更长久。其优化的栅极电荷（Qg）特性，确保了快速、干净的开关动作，这对于高频开关电源和电机驱动控制至关重要，能有效减少电磁干扰，让您的产品设计更容易通过严格的EMC认证。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且可靠的动力核心。

为什么众多领先的设计师信赖并选择STW65N65DM2AG？答案在于它背后强大的技术基因与品质承诺。作为符合AEC-Q101标准的车规级产品，它经历了比工业级产品更为严酷的可靠性测试，能够在-55°C至150°C的极端结温范围内稳定工作，从容应对振动、温度冲击等恶劣环境。高达446W的功率耗散能力，配合经典的TO-247封装，提供了出色的散热性能，让您的散热设计游刃有余。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性于一身的顶级功率器件时，通过值得信赖的ST代理获取正品货源和技术支持，是确保项目成功与供应链安全的关键一步。让STW65N65DM2AG成为您下一代高性能电源与驱动方案的基石，共同开启能效新纪元。

• 型号:STW65N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 60A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW65N65DM2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。