STW68N60M6

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而反复权衡？当600V的高压应用场景对功率器件的性能提出严苛考验时，STW68N60M6的出现，正是为了终结这种妥协。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh系列技术的集大成者，专为那些要求高效率、高功率密度和卓越热性能的关键应用而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或不断电系统(UPS)的核心电路中，能量转换的每一个瞬间都至关重要。STW68N60M6凭借其优化的超结结构，在高达600V的电压下，能实现极低的导通电阻和出色的开关特性。这意味着更少的能量以热的形式被浪费，更多的能量被有效输送到负载端。其高达63A的连续漏极电流承载能力，配合TO-247-3封装带来的优异散热表现，让您的系统即使在满载或恶劣环境下也能稳定运行，大幅延长设备寿命并减少维护成本。

选择STW68N60M6，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。它让您的电源设计摆脱性能瓶颈，轻松达成80 Plus钛金或铂金级别的能效标准，直接转化为可观的电费节省和更小的碳足迹。其坚固耐用的特性，尤其适合对长期可靠性有严苛要求的工业与通讯基础设施。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗高性能芯片，我们作为专业的ST授权代理，不仅能确保您获得原装正品，还能提供全面的技术支持和选型服务。让STW68N60M6成为您下一代高能效设计的强大心脏，共同开启电力电子应用的新篇章。

• 型号:STW68N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 31.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW68N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。