STW6N90K5

当您设计下一款高性能电源或电机驱动产品时，是否曾为在高压、高功率密度与系统可靠性之间寻找完美平衡而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STW6N90K5，这颗900V超结MOSFET将彻底改变您对高压开关器件的认知，以卓越的性能为您的设计注入强大动力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩等严苛的应用场景中，系统需要稳定应对高达900V的电压冲击，同时还要保证高效的能源转换和长久的使用寿命。STW6N90K5正是为此而生。它凭借MDmesh K5第五代超结技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与出色的开关特性平衡。这意味着在相同的功率等级下，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的电源系统效率轻松跃升新台阶，同时有效控制温升，提升整体可靠性。无论是面对频繁启停的电机驱动，还是要求7x24小时不间断运行的通信电源，它都能游刃有余，成为系统稳定运行的坚实后盾。

选择STW6N90K5，就是选择了一份从容与高效。其高达6A的连续漏极电流和110W的强大功率处理能力，让您的设计拥有充足的性能余量，轻松应对峰值负载。TO-247经典封装不仅提供了优异的散热路径，也兼容广泛的生产与安装工艺。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下依然表现稳定。更重要的是，通过与值得信赖的ST中国代理合作，您不仅能获得原厂正品保障和具有竞争力的价格，还能得到及时的技术支持和供应链服务，让您的产品从研发到量产全程无忧。立即采用STW6N90K5，让它成为您下一代高性能产品中那颗最可靠、最强劲的“心脏”，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STW6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW6N90K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。