STW70N65DM6

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗功率器件，不仅能承受650V的高压和68A的强劲电流，更能将导通电阻降至惊人的40毫欧，这意味着什么？这意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，以及整个系统效率的显著跃升。这正是STW70N65DM6为您带来的核心价值它不是简单的开关，而是能量高效转换的基石。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，对功率密度的要求都日益严苛。STW70N65DM6凭借其卓越的MDmesh DM6技术，在高压大电流场景下游刃有余。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），让开关过程更加迅速、干净，大幅降低了开关损耗，使得系统即使在更高的开关频率下工作也能保持冷静与稳定。这直接为您带来了设计上的自由度：您可以选用更小的磁性元件和散热器，从而打造出体积更小、重量更轻、成本却更具竞争力的终端产品。

选择STW70N65DM6，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。它不仅仅是一组冰冷的参数，其高达450W的功率处理能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在最恶劣的环境下依然可靠耐用。TO-247的经典封装提供了优异的散热路径和机械强度，让安装与生产都轻松可靠。当您需要这样一颗能够担当重任的高性能MOSFET时，通过值得信赖的ST代理进行采购，将是确保产品正宗、供应稳定、并获得专业技术支持的最优路径。让STW70N65DM6成为您下一代高性能电源与驱动设计的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:STW70N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 68A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 34A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:125 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW70N65DM6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。