STW75N20

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为功率器件的损耗和发热问题而烦恼？想象一下，一个能同时驾驭200V高压与75A大电流的开关器件，却能将导通损耗降至极低，会是怎样的体验？现在，答案就在STW75N20这款卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统整体效率、迈向更高功率密度的关键钥匙。

这款源自意法半导体STripFET技术平台的明星产品，天生就为高效而生。其核心优势在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅需34毫欧的阻值，就能让高达37A的电流顺畅通过。这意味着在开关电源、电机驱动或逆变器等大功率应用中，由它产生的热量将显著减少，系统运行更凉爽、更稳定。高达190W的功率耗散能力，配合TO-247-3封装带来的出色散热特性，让它即使在严苛的工况下也能游刃有余，确保您的设计拥有更长的使用寿命和更高的可靠性。

无论是工业伺服驱动器中需要精准控制的电机，还是不断追求更高转换效率的服务器电源，亦或是新能源领域如太阳能逆变器中的关键开关，STW75N20都能完美胜任。它宽广的工作温度范围（-50°C至150°C）使其无惧环境挑战，从寒冷的户外设备到高温的机柜内部，都能稳定发挥。其优化的栅极电荷（Qg）特性，有助于降低开关损耗，让您的开关频率设计更具灵活性，从而在效率与成本之间找到最佳平衡点。

选择STW75N20，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其依然是许多经典或特定需求设计的优选。对于需要可靠库存或替代方案的工程师，通过官方授权的ST代理渠道进行咨询，是获取专业支持与合规产品的最佳途径。让这颗凝聚了尖端技术的功率开关，成为您下一个成功产品的坚实基石，驱动创新，释放无限潜能。

• 型号:STW75N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW75N20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。