STW75N60M6

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？STW75N60M6的到来，正是为了终结这种两难抉择。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh M6技术家族的杰出代表，专为那些对性能、可靠性和能效有着严苛要求的应用而生。想象一下，在600V的高压下，它能持续承载高达72A的电流，而导通电阻却低至惊人的36毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的功率被高效地输送到您的系统中。

这颗芯片的强大实力，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及大功率开关电源等关键场景中展现得淋漓尽致。无论是驱动一台重型机械的伺服电机，还是在数据中心确保电力供应的毫秒级切换，STW75N60M6都能提供稳定、强劲且高效的开关性能。其卓越的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更快、更干净，显著降低了开关损耗和电磁干扰，让您的整机设计不仅性能出众，更能轻松满足日益严格的能效与EMC标准。

选择STW75N60M6，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。它传承自意法半导体的尖端MDmesh M6技术，通过优化的单元结构和工艺，在击穿电压、导通电阻和开关速度之间取得了绝佳平衡。高达446W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在最恶劣的环境下也能稳定运行，大幅提升了系统的长期可靠性。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是顶级的物料，更是完整的技术支持链和品质保障，让您的产品从设计之初就站在了高可靠性的起跑线上。

• 型号:STW75N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 36A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW75N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。