STW75NF30

当您的电源系统需要承受300V高压、60A大电流的严苛考验时，您是否在为寻找一颗既能扛住压力又能保持高效的心脏而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐STW75NF30来自ST意法半导体的高性能N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、降低整体能耗、赢得市场竞争力的关键武器。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理设计，它能将挑战转化为机遇，让您的产品在激烈的市场中脱颖而出。

想象一下，在工业电机驱动、大功率开关电源、不间断电源(UPS)以及新能源逆变器等关键应用场景中，稳定与效率就是生命线。STW75NF30正是为此而生。它高达300V的漏源电压和60A的连续漏极电流，意味着它能轻松应对电网波动和负载突变的冲击，为您的系统筑起一道坚固的防线。无论是驱动一台重型机械，还是保障数据中心电力不间断，这颗芯片都能提供澎湃而稳定的动力输出，确保您的设备7x24小时稳定运行，让您和您的客户都高枕无忧。

选择STW75NF30，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其核心的STripFET技术，将导通电阻（RdsOn）在30A、10V条件下控制在极低的45毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热量，显著提升了系统的整体能效。更低的功耗意味着更小的散热器需求、更紧凑的产品设计以及更长的使用寿命，为您从研发到生产的每一个环节节省成本。同时，其高达320W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性，即使在最恶劣的环境下也能保持出色表现。如果您正在寻找可靠的货源和技术支持，我们的合作伙伴专业的ST中国代理将为您提供从选型到供应的全方位服务。虽然该型号已停产，但对于特定存量项目或备件需求，它依然是经过市场验证的卓越选择，代表着经典与可靠的代名词。

• 型号:STW75NF30
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW75NF30的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。