STW80NE06-10

当您的电源转换系统需要承受高达80A的连续电流，同时还要在高温环境下保持稳定时，您是否曾为寻找一颗既能扛住压力、又能保持高效的心脏而烦恼？现在，答案就在眼前。STW80NE06-10正是为应对这类严苛挑战而生的功率解决方案。它不仅仅是一个MOSFET，更是您系统可靠性与效率的坚实保障。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，能量转换的每一个环节都要求极低的损耗和出色的热管理。这正是STW80NE06-10大放异彩的舞台。其N沟道设计和60V的漏源电压，为中等电压应用提供了宽广的安全边际。而最令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的10毫欧（在40A条件下），这意味着在传导大电流时，能量以热形式浪费的部分被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。更不用说它高达250W的功率耗散能力和175°C的结温工作能力，确保了即使在最恶劣的环境下，性能依然坚如磐石。

选择STW80NE06-10，就是选择了一份来自意法半导体STripFET技术家族的品质承诺。TO-247-3的经典封装不仅提供了卓越的散热性能，也简化了您的生产装配流程。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其成为特定高可靠性或现有设计维护项目的绝佳选择。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过值得信赖的ST中国代理进行咨询和采购，是获取正品保障和后续服务的明智之举。这颗芯片的价值，不仅在于参数表上的数字，更在于它能为您的产品带来的持久动力和市场竞争优势。

• 型号:STW80NE06-10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW80NE06-10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。