STW80NF06

在追求极致效率的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能承载80A强大电流的开关，其导通电阻却低至惊人的8毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的功率被有效传递到您的系统中。这正是STW80NF06为您带来的核心价值它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET II技术家族的杰出代表，旨在将高性能与高可靠性完美结合。

无论是驱动一台工业级大功率电机，还是为服务器电源单元提供稳定高效的开关控制，亦或是在新能源车车载充电器(OBC)中扮演关键角色，STW80NF06都能轻松应对。其高达60V的漏源电压和80A的连续漏极电流能力，为各种严苛的功率应用场景提供了坚实的保障。在高温环境下，它依然能保持稳定的性能，结温高达175°C，确保您的设备在持续高负荷运行时也能坚如磐石。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的耐用性承诺。

那么，为什么众多工程师在面临关键选型时会青睐这款器件？答案在于其卓越的综合性能参数。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，响应更迅捷。TO-247-3的经典封装提供了优异的散热路径，结合高达300W的功率耗散能力，让热管理变得更为轻松。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为库存充足时期经典项目升级或维护的可靠之选。如需获取正品货源与专业的技术支持，您可以随时联系我们的ST中国代理团队，我们将为您提供全方位的服务。

• 型号:STW80NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW80NF06的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。