STW80NF55-08

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高达80A的电流下，将导通电阻稳稳控制在8毫欧的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计格局？这正是STW80NF55-08带来的震撼价值。作为意法半导体STripFET家族的杰出代表，它不仅仅是一个参数，更是高效与可靠的代名词，专为那些对性能毫不妥协的工程师而生。

无论是服务器电源中需要承受严苛负载的DC-DC转换模块，还是工业电机驱动里要求快速响应与低损耗的开关应用，甚至是不断进化的车载充电系统，STW80NF55-08都能游刃有余。其55V的漏源电压与高达300W的功率处理能力，为系统提供了宽广的安全裕度和强大的动力基石。在高温环境下，它依然能保持稳定的性能，工作温度范围覆盖-55°C至175°C，确保您的设备在极端条件下也能持续稳定运行，大幅提升了终端产品的耐用性和市场竞争力。

选择STW80NF55-08，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率轻松跃升一个新台阶。经典的TO-247-3封装不仅提供了优异的散热路径，也简化了生产装配流程。虽然该型号已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定高端或存量市场项目中依然是经典型号。如需获取可靠的货源与技术支持，可以咨询专业的ST代理。让这颗凝聚了尖端STripFET技术的芯片，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电源解决方案的坚实核心。

• 型号:STW80NF55-08
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW80NF55-08的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。