STW8N120K5

在追求更高能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为高压大功率应用中的开关损耗和散热问题而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出STW8N120K5，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道功率MOSFET，正是为突破这些瓶颈而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的强大引擎，让您的设计在效率和稳定性上实现质的飞跃。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩这些严苛的应用场景中，系统需要稳定处理高达1200V的电压，同时还要保证快速、高效的开关动作。STW8N120K5凭借其卓越的MDmesh K5技术平台，将导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）实现了精妙的平衡。这意味着它在导通时损耗极低，在开关时速度更快，从而显著降低整体系统的功率损耗和温升。其高达130W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了即使在最恶劣的环境下也能稳定运行，让您的设备拥有坚如磐石的可靠性。

选择STW8N120K5，就是选择了一份安心与远见。它采用经典的TO-247封装，不仅提供了优异的散热性能，也便于在现有设计中集成和升级。这颗芯片所代表的，是ST在功率半导体领域深厚的技术积淀，而通过值得信赖的ST中国代理，您可以轻松获得原厂正品、专业的技术支持以及稳定的供货保障。无论是为了提升现有产品的能效等级，还是为了开发面向未来的绿色能源解决方案，STW8N120K5都是您不容错过的核心之选。它将复杂的电力控制变得简单高效，助您轻松驾驭高压功率世界，释放无限创新潜能。

• 型号:STW8N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:505 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW8N120K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。