STW8NB100

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否曾为高压应用中的开关损耗和散热问题而困扰？当1000V的电压平台成为工业电源、新能源转换和电机驱动的常态，选择一颗能够从容应对高压、高效导通且坚固耐用的功率开关器件，就成为决定系统成败的关键。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的高压解决方案明星STW8NB100，它正是为征服严苛应用而生。

想象一下，在您的服务器电源或工业SMPS（开关模式电源）中，这颗采用先进PowerMESH技术的N沟道MOSFET，以其高达1000V的漏源电压承受能力，为您筑起一道坚实的安全屏障。它不仅仅是一个开关，更是系统稳定运行的守护者。其7.3A的连续漏极电流能力和低至1.45欧姆的导通电阻，意味着在高压下依然能实现高效的能量传输，将导通损耗降至最低，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。这对于追求高功率密度和长寿命的设备而言，价值无可估量。

无论是光伏逆变器中应对波动的直流母线电压，还是UPS（不间断电源）中需要快速、可靠的功率切换，STW8NB100都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，同时±30V的宽泛栅极电压范围提供了更强的驱动兼容性和抗干扰能力。封装在经典的TO-247-3封装内，它提供了出色的散热路径，结合高达190W的功率耗散能力，即使面对持续的高负荷工作，也能保持冷静与稳定，将系统热管理的压力轻松化解。

选择STW8NB100，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与ST领先技术的强强联合。它代表了在高压、高可靠性应用领域的一种经典而成熟的设计选择。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和备件领域依然拥有不可替代的价值。对于正在维护或升级现有系统的工程师，这颗芯片是确保性能延续与可靠保障的明智之选。如需获取关于此型号的库存、替代方案或技术支援，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队将为您提供详尽的支持与服务，助您的项目稳健前行。

• 型号:STW8NB100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 7.3A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.45 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW8NB100的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。