STW8NK80Z

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对800V高压应用时，传统的MOSFET往往在导通损耗、开关速度和热管理之间难以平衡，导致系统效率打折，设计复杂度攀升。现在，这一切都将被重新定义。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族中的高压利器STW8NK80Z，它不仅是一颗参数卓越的N沟道MOSFET，更是您开启高效、紧凑、可靠电源方案的钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，系统需要稳定处理高压大电流。STW8NK80Z凭借其800V的漏源电压额定值和6.2A的连续漏极电流能力，为您构建起坚固的第一道防线。其核心魅力在于SuperMESH技术的加持，这项技术显著优化了单元结构，使得在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）最大值低至1.5欧姆（@3.1A）。这意味着更低的传导损耗，电能更多地被输送到负载，而非转化为令人头疼的热量。更低的损耗直接带来了更高的系统效率，以及更简化、更小巧的散热设计，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出，同时拥有更长的使用寿命和更低的运行成本。

为何众多工程师在高压开关应用中信赖并选择STW8NK80Z？答案在于它对设计挑战的全面回应。其一，极低的栅极电荷（Qg最大值46nC @10V）和输入电容，确保了快速、干净的开关特性，这不仅减少了开关损耗，提升了频率潜力，也降低了对驱动电路的要求，让设计更轻松。其二，高达140W（Tc）的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它卓越的鲁棒性和环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定运行。其三，经典的TO-247-3通孔封装，兼顾了优异的散热性能和成熟的工艺兼容性，便于集成与生产。选择STW8NK80Z，就是选择了一份由尖端技术与可靠品质共同担保的性能承诺。如需获取官方技术支持和现货供应，请咨询授权ST代理，他们将为您提供专业的一站式服务。

总而言之，STW8NK80Z不仅仅是一个组件，它是提升您产品核心竞争力、实现能效飞跃的战略性选择。它将意法半导体的创新基因封装于经典的TO-247之中，静待您将它融入下一个颠覆性的设计。拥抱高效，驾驭高压，从这颗强大的芯片开始。

• 型号:STW8NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW8NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。