STWA20N95DK5

当您的电源设计面临高压、高功率的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住950V高压冲击，又能保持极低导通损耗的“硬核”功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh DK5系列中的明星产品STWA20N95DK5，它正是为征服此类挑战而生，将卓越的性能与非凡的可靠性融为一体，为您的下一代高效能电源方案注入强大动力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或大功率充电桩的核心电路中，稳定与效率是生命线。STWA20N95DK5凭借其950V的超高漏源电压和18A的连续电流能力，如同一位沉稳的守护者，从容应对电网波动和负载冲击，确保系统在极端条件下依然坚如磐石。其TO-247长引线封装不仅提供了出色的散热路径，更能承受高达250W的功率耗散，让热量不再是性能的瓶颈，而是被高效管理的资源。无论是面对-55°C的严寒还是150°C的酷热，它都能稳定工作，拓宽了您的设备应用疆界。

选择STWA20N95DK5，就是选择了一份从容与领先。它不仅仅是一个参数漂亮的MOSFET，更是意法半导体尖端MDmesh DK5技术的结晶。这项技术显著优化了单元结构，使得在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）低至惊人的330毫欧（在9A条件下）。这意味着更低的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，为您节省可观的能源成本，并提升产品竞争力。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更加迅速、干净，减少了开关损耗，也降低了对驱动电路的要求，让设计变得更简单、更高效。如果您正在寻找可靠的原厂正品供应与技术支持，我们的合作伙伴专业的ST代理商将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STWA20N95DK5，让它成为您高端电源设计中无可替代的功率核心，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STWA20N95DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA20N95DK5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。