STWA20N95K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在为高电压、大功率应用中的开关损耗与散热难题而困扰？当950V的严苛电压与17.5A的持续电流成为设计常态，选择一颗怎样的功率MOSFET，才能让您的系统在性能与成本之间找到完美平衡点？答案，就蕴藏在STWA20N95K5这颗卓越的器件之中。

源自意法半导体引以为傲的SuperMESH5技术平台，这颗N沟道MOSFET天生就是为了征服高压环境而生。它不仅仅是一个简单的开关，更是您提升整机效率、缩小体积、增强可靠性的关键引擎。其330毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更少的能量以热的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运行成本。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让您的电源设计在追求高频化的道路上走得更稳、更远。

无论是服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器，还是电动汽车充电桩，STWA20N95K5都能游刃有余地应对。想象一下，在光伏逆变器中，它如何以极高的效率将直流电转换为交流电，最大化每一缕阳光的能量产出；在高端电竞PC电源中，它又如何确保澎湃动力稳定输出的同时，保持冷静与安静。其TO-247封装提供了卓越的散热能力，结合高达250W的功率耗散上限，即使面对持续高负载的挑战，也能保持稳定表现，大幅延长设备的使用寿命，减少维护烦恼。

选择STWA20N95K5，您选择的不仅是一颗参数出色的芯片，更是一份来自全球半导体巨头的品质承诺与持续的技术支持。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性。当您通过正规的ST授权代理渠道获取它时，您还将获得原厂级的质量保证、稳定的供货支持以及专业的技术服务，让您的产品从研发到量产全程无忧。在竞争日益激烈的市场里，让STWA20N95K5成为您产品性能超越对手、赢得客户信赖的硬核基石。

• 型号:STWA20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA20N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。