STWA40N60M2

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一个能同时兼顾高性能与成本效益的解决方案？答案或许就藏在STWA40N60M2这颗强大的功率开关之中。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升系统能效、确保长期稳定运行的得力伙伴。想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高功率服务器电源的核心位置，正是这样一颗芯片，以其卓越的性能默默支撑着整个系统的澎湃动力。

无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致效率的消费类高端电源，STWA40N60M2都能游刃有余。它基于意法半导体备受赞誉的MDmesh M2技术打造，专为应对高电压、大电流的开关应用而优化。其600V的漏源电压和高达34A的连续漏极电流能力，意味着它能在各种拓扑结构中（如PFC、半桥、全桥）提供坚实的功率处理基础。当您在设计一台更安静、更凉爽、体积更小的充电桩或太阳能逆变器时，这款MOSFET的低导通电阻特性将直接转化为更低的传导损耗，让热量不再是性能的瓶颈，而是被高效管理的资源。

选择STWA40N60M2，就是选择了一份来自全球半导体领袖的承诺与安心。意法半导体的MDmesh M2技术经过市场长期验证，在开关速度、雪崩耐量和电磁兼容性方面达到了精妙的平衡。这不仅减少了您在外围电路设计上的妥协，更显著降低了系统整体的复杂性。其经典的TO-247封装提供了出色的散热能力和机械强度，确保在长期高负荷运行下依然稳定如初。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让STWA40N60M2成为您下一个成功产品的基石，开启高效、可靠电源设计的新篇章。

• 型号:STWA40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA40N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。