STWA40N95K5

在追求极致能效与可靠性的高功率设计中，您是否曾为开关损耗、散热瓶颈和系统稳定性而困扰？当传统方案难以突破性能天花板时，STWA40N95K5的出现，正是为应对这些挑战而生。这款来自ST意法半导体MDmesh K5系列的高压N沟道MOSFET，以其950V的卓越耐压和38A的连续电流能力，重新定义了高效功率转换的标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升整机效率、缩小体积并增强可靠性的核心引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩等严苛应用中，系统需要持续稳定地处理高电压大电流。STWA40N95K5凭借其先进的MDmesh K5技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）。这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，热量产生更少，从而让您的设备运行得更凉爽、更持久。其高达450W的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了即使在最恶劣的环境下也能游刃有余，大幅提升了系统的整体鲁棒性和寿命。

选择STWA40N95K5，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺与性能保障。它直接为您带来的价值是：更高的功率密度允许您设计出更紧凑的产品，更低的损耗直接转化为可观的能源节约和更少的散热需求，而卓越的可靠性则显著降低了现场故障率与维护成本。无论是升级现有方案还是开发新一代产品，它都能成为您电路中那颗值得信赖的“心脏”。如需获取官方技术支持和可靠货源，通过授权的ST代理进行采购，将是确保产品正宗与供应链稳定的明智之选。现在就让它为您的下一个设计注入强劲动力，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STWA40N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 38A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA40N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。