STWA45N65M5

当您的电源设计需要在效率与可靠性之间找到完美平衡点时，您是否曾为选择一款既能承受高压冲击又能保持低损耗的功率器件而犹豫？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案STWA45N65M5。这款来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和35A的连续漏极电流，重新定义了高性能功率转换的标准。它不仅是一颗晶体管，更是您提升系统能效、缩小体积并增强可靠性的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩的核心电路中，STWA45N65M5正以其超低的78毫欧导通电阻（在17.5A, 10V条件下）大幅降低导通损耗，让热量无处遁形。其优化的栅极电荷（Qg仅82nC @ 10V）和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，显著减少了开关损耗和电磁干扰。这意味着您的系统可以在更高的频率下稳定运行，整体效率轻松突破瓶颈，同时高达210W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它在严苛环境中持久工作的坚韧生命力。

选择STWA45N65M5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的承诺。TO-247的经典封装提供了优异的散热路径和机械强度，便于安装与维护。无论是升级现有产品还是开发新一代高效能平台，这颗芯片都能让您的设计脱颖而出。我们建议您通过官方授权的ST代理商进行采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持。立即行动，让STWA45N65M5成为您下一个成功项目的强大心脏，共同开启高效、可靠的电力未来。

• 型号:STWA45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3470 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA45N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。