STWA67N60M6

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里，您是否还在为如何平衡高功率密度与系统稳定性而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh M6系列中的明星产品STWA67N60M6，这颗600V/52A的N沟道功率MOSFET，正是为突破性能瓶颈、重塑系统价值而生。它不仅仅是一个开关器件，更是您实现高效、紧凑、可靠设计的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或UPS不间断电源等严苛的应用场景中，系统需要承受高电压、大电流的持续考验，同时还要将能量损耗降至最低。STWA67N60M6凭借其先进的MDmesh M6技术，将导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）实现了卓越的优化平衡。这意味着在开关过程中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的设备运行更凉爽，效率更高，直接转化为可观的能源节约和更长的使用寿命。其高达330W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了即使在最恶劣的环境下也能稳定输出，为您的关键应用保驾护航。

选择STWA67N60M6，就是选择了一份来自技术前沿的承诺。它采用经典的TO-247长引线封装，不仅提供了优异的散热性能，也便于安装和焊接。其高达600V的漏源电压和52A的连续漏极电流能力，为您提供了充裕的设计余量，让系统在面对浪涌和过载时更加从容。更低的栅极电荷意味着驱动电路可以更简单、更快速，有助于提升整体系统的开关频率，从而实现电源产品的小型化和轻量化。无论您是设计新一代的高效电源模块，还是升级现有的电机控制方案，这颗芯片都能让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能确保您获得正品货源和具有竞争力的价格，更能提供专业的技术支持和供应链保障，让您的创新之旅全程无忧。立即采用STWA67N60M6，开启高效电能转换的新篇章！

• 型号:STWA67N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:49 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA67N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。