STY100NM60N

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否曾为功率转换系统的效率瓶颈而困扰？当600V高压应用场景对开关损耗和热管理提出严苛要求时，STY100NM60N的出现，正是为了打破这一僵局。这颗基于意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道功率MOSFET，以其高达98A的连续漏极电流和仅为29毫欧的超低导通电阻，为您带来前所未有的低损耗体验。它不仅是一个组件，更是您提升系统整体能效、实现设计小型化与轻量化的关键动力引擎。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器或大功率开关电源等核心应用中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的积累。STY100NM60N凭借其优化的栅极电荷（Qg）和电容特性，显著降低了开关损耗，让系统运行更“冷静”、更持久。这意味着您的设备可以在更宽的温度范围（-55°C至150°C）内稳定工作，减少散热设计的复杂度与成本，直接将可靠性转化为产品的市场竞争力。选择它，就是为您的电源方案注入了高效与坚韧的基因。

为何众多工程师在高压高电流设计中青睐这款产品？答案在于其带来的综合价值远超一个简单的参数表。极低的Rds(on)意味着更少的导通损耗，直接提升系统效率，帮助终端用户节省电费；强大的625W功率耗散能力，结合MAX247封装出色的热性能，确保了在恶劣环境下依然游刃有余。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是原装正品的质量保证，更是将意法半导体的尖端技术快速、稳妥地融入您创新产品的捷径。让STY100NM60N成为您下一个成功设计的坚实基石，共同开启高效能源转换的新篇章。

• 型号:STY100NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 98A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 49A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:330 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY100NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。