STY112N65M5

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是需要在高功率应用中寻求更可靠的开关解决方案时，您是否渴望一款能同时兼顾高性能与高可靠性的功率器件？答案就在STY112N65M5。这款来自意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和高达96A的连续漏极电流，为您打开了通往下一代高效能电源系统的大门。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或大功率充电桩等严苛的应用场景中，每一次开关都关乎系统的稳定与效率。STY112N65M5正是为此而生。其标志性的低导通电阻（典型值仅22毫欧）意味着更低的传导损耗，能将宝贵的电能更多地输送给负载，而非转化为无谓的热量。结合优化的栅极电荷特性，它能实现更快的开关速度和更低的开关损耗，让您的系统在全负载范围内都保持高效运行，轻松应对峰值功率挑战，同时将温升控制在理想范围内。

选择STY112N65M5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。它采用先进的MAX247封装，提供了出色的散热能力和机械坚固性，确保在高达150°C的结温下依然稳定工作。这颗芯片的价值不仅在于其参数表上的亮眼数字，更在于它能为您的终端产品带来的实际效益：更长的使用寿命、更小的散热器尺寸、更高的功率密度以及最终更低的系统总成本。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是产品本身，还有完整的技术支持和供应链保障，让您的创新之旅无后顾之忧。

• 型号:STY112N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):96A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 47A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:350 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:16870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY112N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。