STY139N65M5

当您需要在高功率应用中实现效率与可靠性的完美平衡时，是否曾为寻找一颗既能承受高压冲击，又能保持极低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STY139N65M5，正是意法半导体MDmesh V系列中的一颗明星产品，它将以高达650V的漏源电压和130A的连续漏极电流，彻底改变您对功率密度的想象。这颗芯片不仅仅是一个参数表上的数字，它是您构建下一代高效、紧凑型电源系统的坚实基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源电动汽车的充电模块中，系统正面临着严苛的能效与散热挑战。STY139N65M5凭借其先进的MDmesh V技术，将导通电阻（RdsOn）在65A、10V条件下压降至惊人的17毫欧。这意味着在每一次开关动作中，由导通产生的热量被大幅削减，系统整体效率得以显著提升，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更低的运行温度和更长的使用寿命脱颖而出。其高达625W的功率耗散能力，配合MAX247封装提供的卓越散热性能，确保了即使在最恶劣的工作环境下也能稳定运行。

选择STY139N65M5，就是选择了一份来自技术前沿的保障。它不仅拥有优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得驱动设计更为简单高效，降低了开关损耗，更以高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了设计工程师更大的余量和灵活性。无论您是设计面向未来的太阳能逆变器，还是追求极致功率密度的UPS系统，这颗芯片都能让您的设计游刃有余。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅确保您能获得原装正品，更能提供专业的技术支持与供应链保障，让您的创新之旅从一颗可靠的芯片开始，一路畅行无阻。

• 型号:STY139N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 65A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:363 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:15600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY139N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。