STY30NK90Z

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为高压、高功率应用中的开关损耗和散热问题而困扰？现在，答案来了。我们隆重向您介绍意法半导体SuperMESH家族的明星产品STY30NK90Z。这颗900V耐压、26A电流能力的N沟道MOSFET，正是为挑战严苛工况而生，它将卓越的性能与坚固的可靠性融为一体，为您的高压设计注入强大心脏。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)、大功率开关电源以及电焊机等应用场景中，每一次开关动作都关乎系统的整体效率与稳定。STY30NK90Z凭借其先进的SuperMESH技术，将导通电阻（Rds(on)）优化至新低，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。当电流流过，它能以更高的效率完成任务，让您的设备在长时间满负荷运行时依然保持“冷静”，显著提升系统能效比和功率密度，直接转化为产品的市场竞争力和用户口碑。

选择STY30NK90Z，就是选择了一份安心的保障。其高达900V的漏源击穿电压，为应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰提供了充裕的安全裕量，极大地增强了系统的鲁棒性。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让驱动设计更为简便，有助于实现更快、更干净的开关波形，减少电磁干扰(EMI)。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的设计和广泛的市场验证使其成为特定高可靠性升级或备件项目的经典之选。如需获取此经典器件的库存或寻找性能相当的替代方案，您可以咨询专业的ST代理，他们能为您提供全面的技术支持和供应链服务。

从-65°C到150°C的宽广工作结温范围，配合MAX247封装出色的散热能力，确保了它在极端环境下依然稳定服役。无论是面对炎夏的酷热还是严冬的寒冷，STY30NK90Z都能忠实地执行每一次开关指令。它不仅仅是一个半导体开关，更是您提升产品性能、确保长期可靠运行的战略性组件。让这颗凝聚了意法半导体尖端技术的功率器件，成为您下一个成功项目的强大基石。

• 型号:STY30NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:490 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY30NK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。