STY60NM60

想象一下，当您的电源系统面临严苛的效率和散热挑战时，是否有一款功率器件能够同时满足高可靠性、低损耗和卓越的散热需求？今天，我们为您带来的STY60NM60，正是意法半导体MDmesh系列中那颗能完美回应这些期待的明星。它不仅仅是一个参数，更是您提升产品竞争力的关键引擎，让您的设计在激烈的市场中脱颖而出。

这款N沟道MOSFET拥有高达600V的漏源电压和60A的连续漏极电流，这意味着它天生就是为高功率应用场景而生的。无论是工业电机驱动中需要承受频繁启停的冲击，还是开关电源（SMPS）中追求极致的转换效率，甚至是不断电系统（UPS）和太阳能逆变器中对稳定性的苛刻要求，STY60NM60都能游刃有余。其核心的MDmesh技术，通过优化的单元结构和先进的工艺，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的绝佳平衡。这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更“冷静”，效率更高，从而显著降低整体能耗和散热成本。

选择STY60NM60，就是选择了一份从容与信心。其55毫欧的超低导通电阻（在30A, 10V条件下），确保了在大电流通过时最小的电压降和功率浪费。而MAX247封装不仅提供了强大的通孔安装可靠性，其卓越的热性能（最大功率耗散560W）更能将芯片产生的热量高效导出，确保在高达150°C的结温下依然稳定工作，极大地延长了设备的使用寿命和可靠性。这意味着您的产品将拥有更宽的安全工作区和更强的环境适应能力。当您需要这样一颗高性能、高可靠性的芯片时，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购，确保获得原装正品和全面的技术支持。让STY60NM60成为您下一个成功项目的坚实基石，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STY60NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:560W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY60NM60的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。